近日，硅來半導體(武漢)有限公司(以下簡稱“硅來”)第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設備順利交付客戶。本次交付標志著硅來超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)已經(jīng)成功通過產(chǎn)業(yè)化檢驗，將為碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的動能。

■ 超大尺寸碳化硅襯底前景廣闊

作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有禁帶寬度大、熔點高、熱導率高等性能優(yōu)勢，在高溫、高壓、高頻條件下表現(xiàn)優(yōu)異，廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領域，并有望作為最理想的AR鏡片材料、先進封裝中介層材料等推動多個領域的技術(shù)變革。與6英寸襯底相比，8英寸和12英寸碳化硅襯底能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，可以顯著提升產(chǎn)量、降低成本。

■ 公司自主創(chuàng)新激光剝離工藝技術(shù)領先

硅來核心研發(fā)團隊來自華中科技大學激光學科，技術(shù)創(chuàng)新能力強，且深耕激光產(chǎn)業(yè)多年。

團隊自主創(chuàng)新激光剝離技術(shù)，對莫氏硬度高達9.5，接近于金剛石的SiC單晶，

先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設備，解決了大尺寸、尤其是超大尺寸碳化硅襯底加工的技術(shù)難題，效率和損耗顯著優(yōu)于傳統(tǒng)線切割工藝。關(guān)鍵技術(shù)效果如下：

? 高加工效率：單片激光剝離時間<15分鐘@8英寸，較傳統(tǒng)線切工藝提升20-30倍;

? 低原料損耗：單片加工損耗碳化硅晶錠60-80μm@8英寸，較傳統(tǒng)線切工藝降低60%，且加工過程中不使用任何耗材及化學試劑;

? 高出片率：相較傳統(tǒng)線切工藝，出片量提升30%，單片加工成本降低50%。

■ 公司激光剝離工藝技術(shù)的差異性明顯

硅來碳化硅襯底激光剝離設備不同于行業(yè)現(xiàn)有技術(shù)路線，體現(xiàn)在：

? 獨創(chuàng)性采用SOC組合光源。相比多臺獨立光源方案具備更高集成度和穩(wěn)定性;

? 搭載自由曲面光路整形技術(shù);

? 配備“白光干涉面形檢測+反演算法補償”技術(shù)：可靠性突出;

? 支持不同電阻率碳化硅晶體工藝定制，可承載更高能量，且具備“無老化、無壽命限制、強抗干擾”特性;

? 同時支持6、8、12英寸規(guī)格，定位精度與非標尺寸兼容性滿足生產(chǎn)要求;

? 單臺1.2m*1.4m設備即可完成切割全工序與自動上下料?？臻g布局更加緊湊，設備尺寸經(jīng)過深度優(yōu)化，在保證全自動化高性能運行的前提下，大幅節(jié)省車間布局空間，提升廠房整體利用率，適配不同規(guī)模產(chǎn)線的布局需求，更高效、更精密、更智能。

■ 公司激光剝離設備獲得市場和產(chǎn)業(yè)資本高度認可

不到半年時間硅來累計出貨數(shù)十套設備，廣泛覆蓋國內(nèi)多家頭部碳化硅企業(yè)。得益于模塊化的設計和產(chǎn)業(yè)協(xié)同，硅來半導體已實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，設備的批量交付周期為28天，未來有望縮短至14天;

同步布局硅光芯片核心裝備領域，自主研發(fā)的硅光芯片激光隱切設備已成功出口海外，憑借更高精度、穩(wěn)定性與性價比，將成為公司未來主要主力機型之一。

硅來已經(jīng)成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰(zhàn)略投資者。作為全球領先的激光精密微納加工裝備制造企業(yè)，帝爾激光始終堅持原始創(chuàng)新，深耕激光技術(shù)應用“無人區(qū)”，在半導體領域已經(jīng)推出TGV 激光微孔、PCB 超快激光鉆孔、SiC/IGBT激光退火、激光隱切等多款設備。未來，硅來將聚焦半導體激光裝備核心賽道，持續(xù)優(yōu)化SoC 光源、自由曲面光路等核心技術(shù)，深化與帝爾激光的協(xié)同創(chuàng)新，以更先進的技術(shù)、更優(yōu)質(zhì)的服務賦能碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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原文轉(zhuǎn)自：信陽新聞網(wǎng)