3 月 23 日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已開始采購應(yīng)用飛秒激光技術(shù)的晶圓切割設(shè)備。這些設(shè)備包括用于在晶圓上開槽的 " 開槽 " 設(shè)備與一次性完成切割的 " 全切 " 設(shè)備，僅初期導(dǎo)入數(shù)量就至少達(dá) 10 臺(tái)以上。設(shè)備計(jì)劃引入進(jìn)行先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的天安園區(qū)，目前正在準(zhǔn)備采購訂單。

據(jù) CNMO 了解，三星電子還計(jì)劃通過追加訂單，盡可能增加設(shè)備導(dǎo)入數(shù)量?？紤]到晶圓切割設(shè)備交貨周期長達(dá) 8 個(gè)月以上，此舉旨在提前確保設(shè)備產(chǎn)能的同時(shí)，大幅擴(kuò)大基于飛秒激光的晶圓切割工藝應(yīng)用范圍。知情人士解釋稱，三星電子正與合作伙伴討論在初期導(dǎo)入之后持續(xù)擴(kuò)大飛秒激光開槽與全切設(shè)備導(dǎo)入的方案，試圖將大部分晶圓切割工藝轉(zhuǎn)向下一代技術(shù)。

半導(dǎo)體在晶圓上完成電路刻印的前道工序后，必須經(jīng)過切割分離為獨(dú)立芯片形態(tài)的工序。傳統(tǒng)切割工藝大多通過金剛石砂輪進(jìn)行機(jī)械切割，部分雖采用激光，但作為精密度關(guān)鍵指標(biāo)的激光脈沖僅停留在納秒級(jí)別。飛秒激光可產(chǎn)生比納秒更快的千萬億分之一秒級(jí)別的激光脈沖，相比傳統(tǒng)機(jī)械方式或納秒激光，能夠?qū)崿F(xiàn)更精密的切割，可在不影響線寬極窄的先進(jìn)半導(dǎo)體電路或布線的情況下，最大限度減少切割過程中產(chǎn)生的顆粒物，從而將最終半導(dǎo)體的質(zhì)量提升至最高水平。

三星電子于去年第二季度首次在半導(dǎo)體切割工藝中引入飛秒激光切割，當(dāng)時(shí)設(shè)備僅有數(shù)臺(tái)。在驗(yàn)證了性能與生產(chǎn)力改善成果后，公司決定擴(kuò)大應(yīng)用。三星計(jì)劃將飛秒激光切割優(yōu)先應(yīng)用于 HBM4 制程，以提高 HBM4 的良率與生產(chǎn)效率。

近期三星電子已開始量產(chǎn)供應(yīng) HBM4。隨著進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)轉(zhuǎn)換階段，預(yù)計(jì)對(duì)飛秒激光切割的需求也將同步擴(kuò)大。此外，據(jù)稱三星還在考慮將飛秒激光切割引入 NAND 閃存與系統(tǒng)半導(dǎo)體等 DRAM 以外的產(chǎn)品。三星電子的飛秒激光切割供應(yīng)鏈將由韓國企業(yè) EO Technics 與日本 Disco 共同承擔(dān)。

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三星強(qiáng)化 HBM4 量產(chǎn)能力,飛秒激光切割成關(guān)鍵工藝